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装料量从95Kg~150Kg,可拉制6"~12"电路级和太阳能级单晶硅棒。用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单,容易实现自动控制,生产效率高,易于大直径单晶,容易控制单晶中杂质浓度,可以低电阻率单晶。据统计,上硅单晶的产量中70%~80%是用直拉法生产的。目前晶体生长设备的现状\江南电力光伏科技有限江南电力光伏科技有限。直拉法引进消化吸收国外技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。也叫切克劳斯基(J.Czochralski)方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种。的硅单晶体生长炉商之一。
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2,根据权利要求1所述的直拉式单晶生长炉,其特征在于还包括设于该炉的坩埚支持器(14)下方和该部的排气口(13)之间的气流导向装置(20)。与氩气输入管(12)相连通的环形气体分布器(11)。权利要求1其特征在于经氩气输 .9×103Pa该气流导向装置(20)为碗形。一种直拉式单晶生长炉,包括设于该炉顶部并伸入炉内的氩气输入管(12)其包括设于气流导向装置(20)底部的中轴孔(2-1)该炉的石墨中轴(21)穿过所疼气流导向装置(20)的中轴孔(2-1)气流导向装置(20)的上端部(2-4)设于该炉的保温筒(17)与发热体(16)之间。3其特征在于所述气流导向装置(20)的电极孔(2-2)分别与该炉的电极柱(15)密封连接。进一步地,所述加热片10能够上下。加热片10能够上下是为了方便操作人员具体控制保温屏9和上反射屏5的温度,当需要调节保温屏9的温场时,可以加热片10使其更靠近保温屏9,当需要调节上反射屏5的温场时,可以加热片10使其更靠近上反射屏5。