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可靠性高，抗干扰性好。双摄像头实时采集晶体直径信息。液面测温确保下籽晶温度和可重复性。炉内温度或加热率控制方式可选，保控温精度。质量流量计控制氩气流量。高精度真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。伺服电机和步进电机的混合使用，即可满足转动所需的扭矩，又可实现转速的控制。质量流量计控制氩气流量。自主产权的控制软件采用视窗。维护方便全自动控制系统采用模块化设计作方便简洁直观。多种曲线和数据交叉分析工具了工艺实时的。完整的工艺设定界面使计算机可以自动完成几乎所有的工艺过程。加热电源采用绿色纵向12脉冲直流电源。比传统直流电源节能近15%。特殊的温场设计使晶体提拉速度提高20-30%。

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技术领域：本发明涉及一种直拉式单晶生长炉。背景技术：图1为切克劳斯基(直拉)法硅单晶的单晶炉剖面示意图，图1-2 中，l为炉筒，2为保温盖，3为保温盖，4为保温材津牛，5为保温罩，6为 加热器，7为水套，8为石英埚，9为导流筒，IO为护盘，12为氩气输 入管，11为分布有孔11-1的环形气体分布器，13为排气口。名称：直拉式单晶生长炉的方法直拉式单晶生长炉的方法直拉硅单晶在生长过程中需要向炉内不断充入氩气尤其是坩埚 支持器下方的空间较大，导致坩埚支持器下方的混合气体不能及时排出， 热能消耗量较大，另外，现有技术中，从氩气输入管向炉内充入氩气时， 充气气压为1. 3x 103pa，氩气流量为40L/min，因此其氩气消耗量大，生产 成本较高。用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单，容易实现自动控制，生产效率高，易于大直径单晶，容易控制单晶中杂质浓度，可以低电阻率单晶。据统计，上硅单晶的产量中70%～80%是用直拉法生产的。江南电力光伏科技有限。直拉法引进消化吸收国外技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种。也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法。